受光チップ
LIGHT RECEIVING CHIP鉛フリーRoHS 指令標準

●受光チップ（フォトダイオード）
フォトダイオードは、一般に光電効果を利用した受発光素子です。以下が特徴として挙げられます。
・プレーナ構造であるため、ダイオード特性（カーブファクター）が良く、負荷をかけた時の動特性に優れています。
・低照度から高照度まで光電流の直線性が良好です。
・素子間の光出力のバラツキが同一組立状態で少ないです。
・応答速度が速いです。
・分光感度波長が広いです。

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感度	0.53 0.54
端子間容量 (Typ.)	pF　～ pF	ピーク感度波長 (Typ.)	nm　～ nm

感度

0.53 0.54

端子間容量
(Typ.)

pF　～

ピーク感度波長
(Typ.)

nm　～

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品番	特長	量産状態〇：量産中 △：要問合せ	開放電圧	短絡電流	短絡電流	暗電流	端子間容量	分光感度	分光感度	感度	ピーク感度波長	外形サイズ	外形サイズ
			Voｃ	Isc	Ev							x	y
						VR=10V	VR=0V			λ=780nm
			Typ.	Typ.		Max.	Typ.	Min.	Max.	Typ.	Typ.
PD-639	product_feature青紫帯高感度フォトダイオード	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current2 nA	terminals_content4.6 pF	spectral_sensitivity_min350 nm	spectral_sensitivity_max950 nm	sensitivity-	peak_wavelength720 nm	outer_shape_x0.7 mm	outer_shape_y0.7 mm
PD-636	product_feature青紫帯高感度フォトダイオード	production_status〇	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current2 nA	terminals_content25 pF	spectral_sensitivity_min350 nm	spectral_sensitivity_max950 nm	sensitivity-	peak_wavelength720 nm	outer_shape_x1.36 mm	outer_shape_y1.36 mm
PD-07N	product_featureフォトダイオードチップ P on N	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current20 nA	terminals_content6 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity0.53	peak_wavelength900 nm	outer_shape_x0.66 mm	outer_shape_y0.66 mm
PD-012	product_featureフォトダイオードチップ P on N	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current20 nA	terminals_content11 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity054	peak_wavelength920 nm	outer_shape_x1.16 mm	outer_shape_y1.16 mm
DS3-16	product_featureフォトダイオードチップ P on N	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current20 nA	terminals_content15 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity0.53	peak_wavelength950 nm	outer_shape_x1.56 mm	outer_shape_y1.56 mm
DS3-20	product_featureフォトダイオードチップ P on N	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current20 nA	terminals_content24 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity0.53	peak_wavelength950 nm	outer_shape_x1.96 mm	outer_shape_y1.96 mm
DD3-30	product_featureフォトダイオードチップ P on N	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current20 nA	terminals_content94 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity0.54	peak_wavelength920 nm	outer_shape_x2.96 mm	outer_shape_y2.96 mm
PD-02B	product_featureフォトダイオードチップ N on P	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current10 nA	terminals_content38 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity0.52	peak_wavelength850 nm	outer_shape_x0.66 mm	outer_shape_y0.66 mm
PD-16B	product_featureフォトダイオードチップ N on P	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current20 nA	terminals_content170 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity0.52	peak_wavelength850 nm	outer_shape_x1.56 mm	outer_shape_y1.56 mm
PD-024-S	product_feature2分割フォトダイオードチップ	production_status-	open_voltage0.4 V	short_circuit_current-	short_circuit_ev-	dark_current20 nA	terminals_content15 pF	spectral_sensitivity_min450 nm	spectral_sensitivity_max1050 nm	sensitivity0.38	peak_wavelength-	outer_shape_x3.52 mm	outer_shape_y1.31 mm