1980年

• ・第3工場士地（1,868m2）取得（3月）
• ・韓国KODENSHI株式会社設立

1981年

• ・太陽電池シルクスクリーン法で生産した電卓用シリコン単結晶太陽電池を発売
• ・拡散ウエハー型フォトトランジスタを開発
• ・リモコン用フォトダイオードを生産

1982年

• ・11月 第3工場建物が完成
• ・12月 資本金を7,200万円に増資する
• ・太陽電池ウエハープロセスを韓国KODENSHI株式会社（KKC）へ移管
• ・光学式エンコーダを開発
• ・厚さ0.55ミリの太陽電池モジュールを開発

1983年

• ・トランスファモールド（樹脂成型）品を内製化
• ・ハイブリッドICを開発
• ・プレーナ型フォトダーリントントランジスタ素子を開発
• ・拡散ウエハー型フォトトランジスタを開発
• ・BN拡散プロセスを開発

1984年

• ・4月 資本金を1億3,800万円に増資する
• ・8月 資本金を1億5,600万円に増資する
• ・10月 資本金を5億6,900万円に増資する
• ・4インチシリコンウエハープロセス、化合物ウエハープロセスライン
• ・ガリウム・アルミニウム・ヒ素（GaAlAs）⾚外発光ダイオードを発売
• ・光通信用高速・高出力発光ダイオードを発売
• ・バイポーラICのOEM生産開始
• ・太陽電池バッテリーチャージャーOEMの生産開始

1985年

• ・1月 資本金を8億7,000万円に増資する
• ・光リモコン受光ユニット（シールドリモコン）を開発
• ・フォトICセンサー（PICS：ピックス）を開発
• ・CD用16分割フォトダイオードを開発
• ・SiN膜による反射防⽌膜工程にCVD装置を導入

1986年

• ・フォトICセンサー（PICS）を発売
• ・HDD用エンコーダを開発

1987年

• ・ペーパーセンサーを発売
• ・インプラレス高抵抗プロセスを確立
• ・ポジションセンサーを開発

1988年

• ・負性抵抗トランジスタBAMBIT（バンビット）を開発

1989年

• ・4月 資本金を8億8,875万円に増資する
• ・平行光LEDを発売
• ・サーマルプリントヘッドを開発
• ・ロジックフォトトランジスタを開発
• ・フォトICプロセスの確立